装瞎28年，就为不和半生不熟的人打招呼

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该课题由华东师范大学袁翔课题组，装瞎复旦大学张成课题组，中山大学严忠波课题组，南方科技大学卢海舟课题组，褚君浩院士团队合作完成。同时，不和半生不熟比较了进入量子极限后平庸绝缘体，不和半生不熟强拓扑绝缘体，弱拓扑绝缘体费米能级随磁场的变化规律，指出弱拓扑绝缘体是实现一维外尔模的重要条件。研究团队通过强磁场红外光谱技术，人打招发现三维拓扑绝缘体HfTe5在强磁场下发生了三次拓扑相变，人打招由于拓扑绝缘体独特的能带反转和零级朗道能级自旋极化特征，其零级朗道能带在强磁场下发生交叉，同时引起拓扑Lifshitz相变，从而形成一维外尔模，其色散和自旋织体类似于三维外尔半金属。

成果简介图1|强磁场调控的拓扑量子相变外磁场下，装瞎三维拓扑绝缘体中准连续的电子态会量子化为一系列分立的朗道能级，装瞎仅在平行磁场方向上仍保持色散。全文导读固体中丰富的晶体结构会导致不同的电子能带，不和半生不熟由此产生了各异的准粒子激发。

论文以华东师范大学为第一单位，人打招袁翔和张成是本文共同通讯作者，华东师范大学博士生吴闻彬和施泽平为共同第一作者。

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